Исследователи корпорации Intel разработали новые материалы, призванные заменить используемые для производства полупроводниковых компонентов уже более 30 лет. Как подчеркивают в Intel, это достижение необычайно важно для отрасли, заинтересованной в снижении токов утечки в условиях, когда в крошечные полупроводниковые кристаллы <упаковывается> все больше и больше транзисторов.
Исследователи Intel объявили о создании транзисторов с рекордными параметрами производительности с использованием нового диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью и новых сплавов для производства затвора транзистора.
Затвор - это электрод транзистора, управляющий его включением и выключением, а диэлектрик затвора - это тонкая изоляционная пленка под затвором. В совокупности новые материалы позволяют радикально снизить утечки тока, вызывающие сокращение времени автономной работы и порождающие нежелательное тепловыделение. По данным корпорации Intel, новый диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью позволяет снизить ток утечки более чем в 100 раз, по сравнению с диоксидом кремния, который применялся в полупроводниковом производстве последние три десятилетия.
<В отрасли производства полупроводников долгие годы считалось, что тепловыделение и токи утечки являются фундаментальной преградой для дальнейшего развития в соответствии с законом Мура, если мы будем продолжать рассчитывать на сегодняшние транзисторные материалы и структуры, - заявил Сунлин Чоу (Sunlin Chou), старший вице-президент корпорации Intel и генеральный менеджер подразделения Technology and Manufacturing Group. - Перед отраслью давно стоит трудная задача выявления и интеграции в технологию новых материалов взамен диоксида кремния, подходящего к пределу своих возможностей. Эту задачу иногда сравнивают с созданием <искусственного сердца> для микросхем>.
Все полевые транзисторы содержат изоляционный слой, так называемый диэлектрик затвора, свойства которого оказывают решающее влияние на работу транзистора. В последние 30 лет в качестве основного материала диэлектрика затвора использовался диоксид кремния. Это связано с его технологичностью и возможностью систематического улучшения характеристик транзисторов по мере уменьшения их размеров.
В корпорации Intel толщину слоя диэлектрика затвора из диоксида кремния удалось довести до 1,2 нанометра (нм), то есть всего пяти атомных слоев. Однако по мере уменьшения толщины слоя диоксида кремния возрастает ток утечки через диэлектрик затвора, что приводит к потерям тока и избыточному тепловыделению. Для решения этой важнейшей проблемы корпорация Intel планирует заменить используемый в настоящее время материал более толстым слоем диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью, что позволит существенно снизить токи утечки.
Вторая составляющая решения заключается в разработке специального материала затвора, поскольку диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью несовместим с материалами затворов. Сочетание диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью и нового сплава для изготовления затвора позволяет радикально снизить токи утечки, сохранив при этом высокие рабочие параметры транзисторов.
Специалисты Intel убеждены, что эти новые открытия можно будет интегрировать в экономичный, массовый производственный процесс, и сегодня переводит исследование, о котором идет речь, на стадию разработки. Транзисторы на основе новых материалов рассматриваются в качестве одного из вариантов для изготовления будущих процессоров Intel уже в 2007 году, в рамках производственного процесса Intel с проектной нормой 45 нанометров.
Обозрение "Terra & Comp".
