Новости
"Русский переплет" зарегистрирован как СМИ.
Свидетельство о регистрации в Министерстве печати РФ: Эл. #77-4362 от
5 февраля 2001 года. При полном или частичном использовании
материалов ссылка на www.pereplet.ru обязательна.
|
|
26.07.2002
10:46 |
Космический календарь. 26 июля |
|
26.07.2002
10:42 |
Новые стихотворения Натальи Рожковой 
|
|
26.07.2002
05:50 |
"О рассказе М. Бутова "В карьере"." - новое в обозрении "2:48" Дмитрия Крылова |
|
25.07.2002
19:40 |
С Байконура стартовал очередной военный спутник |
|
25.07.2002
19:37 |
"Заур Тутов возвращается  " - новое в музыкальном обозрении Константина Смертина
|
|
25.07.2002
19:29 |
 Physical laws should have mathematical beauty
(к столетию со дня рождения П.А.М.Дирака). |
|
25.07.2002
17:07 |
"Письма Смердякову-3" - новое в обозрении Алексея Шорохова |
|
25.07.2002
16:32 |
Astro-ph за 15-19 июля 2002 года: избранные статьи
|
|
25.07.2002
12:04 |
"Пионер-10" продолжает удаляться от Солнца |
|
25.07.2002
12:03 |
Эрик Энтонссон назначен главным технологом Лаборатории реактивного движения |
|
25.07.2002
12:01 |
Космический календарь. 25 июля |
|
25.07.2002
11:45 |
Молния на ураганном ветру 
|
|
25.07.2002
11:27 |
Электронные волны одна за одной 
|
|
25.07.2002
11:19 |
Электронные волны одна за одной |
|
25.07.2002
11:17 |
Si:Er в России светит ярче! Группа ученых из Института физики микроструктур РАН и Нижегородского государственного университета под руководством З.Ф.Красильника методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии (СМЛЭ) на основе слоев кремния, селективно легированных эрбием, получает диодные структуры (рис. 1), эффективно излучающие в диапазоне 1.54мкм. Именно эта длина волны оптимальна для волоконно-оптических линий связи.
Существенное (на порядок величины) увеличение квантовой эффективности электролюминесценции (в режиме прямого смещения диода) и фотолюминесценции при низких температурах наблюдалось в многослойных селективно легированных структурах с толщиной легированных слоев Si:Er от 2 до нескольких десятков нанометров, разделенных "чистым" кремнием. Это связано с уменьшением безизлучательной рекомбинации в нелегированных слоях. Другим приемом является позиционирование активного (легированного) слоя. Оно позволяет изменять концентрацию свободных электронов в активной области. Кроме того, различное положение этого слоя в области пространственного заряда позволяет исследовать ударный механизм возбуждения ионов эрбия в режиме обратно смещенного диода.
Получение таких структур является преимуществом использованного в разработке СМЛЭ метода по сравнению с широко применяемым методом ионной имплантации.
ПЕРСТ
Выскажите свое мнение на:
|
|
25.07.2002
08:57 |
России предлагают ампутировать себе Сибирь и Дальний Восток |
|
25.07.2002
03:13 |
Сегодня День рождения Василия Шукшина и День памяти Владимира Высоцкого 
|
|
24.07.2002
18:06 |
Живые обзоры по релятивистской физике и астрофизике
 |
|
24.07.2002
15:51 |
Сегодня День рождения русского мыслителя Николая Гавриловича Чернышевского (1828-1889) 
|
|
24.07.2002
14:28 |
Новый проект "Русского переплета": "Вернисаж одной картины" 
|
