Новости "Русский переплет" зарегистрирован как СМИ.
Свидетельство о регистрации в Министерстве печати РФ: Эл. #77-4362 от
5 февраля 2001 года. При полном или частичном использовании
материалов ссылка на www.pereplet.ru обязательна.
Группа ученых из Института физики микроструктур РАН и Нижегородского государственного университета под руководством З.Ф.Красильника методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии (СМЛЭ) на основе слоев кремния, селективно легированных эрбием, получает диодные структуры (рис. 1), эффективно излучающие в диапазоне 1.54мкм. Именно эта длина волны оптимальна для волоконно-оптических линий связи.
Существенное (на порядок величины) увеличение квантовой эффективности электролюминесценции (в режиме прямого смещения диода) и фотолюминесценции при низких температурах наблюдалось в многослойных селективно легированных структурах с толщиной легированных слоев Si:Er от 2 до нескольких десятков нанометров, разделенных "чистым" кремнием. Это связано с уменьшением безизлучательной рекомбинации в нелегированных слоях. Другим приемом является позиционирование активного (легированного) слоя. Оно позволяет изменять концентрацию свободных электронов в активной области. Кроме того, различное положение этого слоя в области пространственного заряда позволяет исследовать ударный механизм возбуждения ионов эрбия в режиме обратно смещенного диода.
Получение таких структур является преимуществом использованного в разработке СМЛЭ метода по сравнению с широко применяемым методом ионной имплантации.
" - новое в музыкальном обозрении Константина Смертина
